近期,由长晶科技承担的江苏省重点研发计划项目“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”顺利通过江苏省科技厅验收。
项目验收委员会围绕项目研究内容、指标完成情况、关键技术、创新之处、项目成效和经费使用情况等方面进行了全面核查,并审阅相关资料,经现场质询、讨论后一致认为,该项目已完成规定指标,经费使用合理,同意通过验收。

“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”项目由长晶科技牵头,联合电子科技大学共同承担完成。该项目旨在突破超结器件的现有物理极限,并在此基础上开展新结构器件设计与制备技术、超结器件可靠性问题的研究,对于从根本上提升我国的超结MOS技术水平、通过自主创新实现进口替代具有重要意义。
长晶科技逻辑芯片产品线经过精心规划,构建了完整的产品生态,满足从通用标准到专用定制的全方位需求。
2025年7月25日,中国半导体行业协会(CSIA)徐冬梅副秘书长、分立器件分会赵小宁秘书长一行赴公司参观调研,杨国江董事长接待协会领导来访。
7月26日-27日,第十九届中国半导体行业协会半导体分立器件年会在江苏南京召开。